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알앤알랩
차세대 DRAM에 적용할 High-k material 및 Si-melt 열처리 장비 개발 금속막의 레이저에 대한 고흡수성을 이용, 고온의 열처리가 필요한 막질 주변에 금속막을 배치시킨 후 레이저를 주사하는 간접 열처리기술.(특허등록) - 디램에 사용중인 고유전물질인 HfO2를 고온으로 열처리하여, 유전율을 현재의 3배까지 갖는 물질로 변화시키는 기술 및 설비개발....
사업 개요
차세대 DRAM에 적용할 High-k material 및 Si-melt 열처리 장비 개발 금속막의 레이저에 대한 고흡수성을 이용, 고온의 열처리가 필요한 막질 주변에 금속막을 배치시킨 후 레이저를 주사하는 간접 열처리기술.(특허등록) - 디램에 사용중인 고유전물질인 HfO2를 고온으로 열처리하여, 유전율을 현재의 3배까지 갖는 물질로 변화시키는 기술 및 설비개발.
사업 내용
- 사업내용
- 디램의 캐패시터와 데이터를 센싱하는 비트라인 사이의 높은 저항 물질인 아모 포스리콘을 녹여 재결정화를 통해 저항값을 기존보다 50% 수준으로 낮추고, 금속막을 추가하여 타장비에서 발생하는 돌기의 생성을 막아 고가의 CMP 공 정이 없는 아모포스실리콘 멜트 공정 및 설비 개발 - 금속막의 고흡수성을 이용하므로 낮은 에너지로 고온으로 승온가능. 사 - 스캔방식을 사용하여 고속열처리가 가능.(시간당 처리매수 경쟁사 대비 2배) 업
비즈니스 모델
15억원 매
제품 썸네일
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주요 성과
- 고용창출
- (선정당시) 5명 -> (’22) 9명
- 논문 및 특허
- (특허) 국내외 출원 및 등록 12건 기 사업 성공을 통한 삼성 및 하이닉스의 20~30조 추가 이익이 예상
유사 기업
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